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Si5480DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
T J = 150 °C
0.05
0.04
I D = 7.2 A
10
T A = 125 °C
0.03
T J = 25 °C
0.02
T A = 25 °C
1
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.6
2.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.2
2.0
1. 8
1.6
I D = 250 μ A
40
30
20
1.4
10
1.2
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
B V DSS Limited
100 μ s
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
0 . 1
1
10
1 0 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73585
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
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